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光迅科技高端光电子及硅光芯片项目一期开工

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AI 综述

11月1日,光迅科技高端光电子及硅光芯片器件产业化项目一期在武汉东湖综保区(中国光谷)开工,总投资102亿元。 项目规划达产后每年新增高速光模块产能1200万只、产值可达200亿元,基地同步推进硅光集成与EML两条路线,产品覆盖800G、1.6T、3.2T、6.4T、12.8T;一期预计2027年底竣工。

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11月1日
  1. 今日头条·科技
    武汉光迅科技高端光电子及硅光芯片器件产业化项目一期开工

    11月1日,武汉光迅科技高端光电子及硅光芯片器件产业化项目一期在武汉东湖综保区(中国光谷)开工,总投资102亿元。项目达产后每年新增高速光模块产能1200万只,产值可达200亿元。基地同步推进硅光集成与EML两条路线,产品覆盖800G、1.6T、3.2T、6.4T、12.8T,一期预计2027年底竣工。

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